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Descripción
Características Principales
- Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
- Rango de frecuencias: 30-500 MHz
- Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
- Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
- Potencia máxima de salida: 125 Watt
Aplicaciones
- Amplificadores de señal RF
- Sistemas de comunicación de banda ancha
- Equipos de prueba y medición RF
- Sistemas de radiodifusión
- Amplificadores lineales de alta potencia
Información adicional
| Peso | 0.01 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 2 × 2 × 1 cm |







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